|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
| Виробник | Infineon (IRF) Thailand ОРИГІНАЛ | |
| Тип транзистора | N-MOSFET | |
| Технологія | HEXFET® | |
| Полярність | польовий | |
| Напруга стік-витік | 55В | |
| Струм стоку | 42А | |
| Розсіювана потужність | 110Вт | |
| Корпус | DPAK (TO252) | |
| Напруга затвор-витік | ±16В | |
| Опір у відкритому стані | 13.5мОм | |
| Монтаж | SMD | |
| Заряд затвора | 35нC | |
| Характеристики напівпровідникових елементів | logic level |
Технічна документація: