| Параметр | | Значення |
| Канал: | N- Канальний |
| Логічний рівень: | |
| Напруга пробою стік-вітік, Vdss: | У |
| Опір стік-вітік відкритого транзистора, Rds: | Ом |
| Постійний струм стоку, при температурі = 25°C, Id | А |
| Постійний струм стоку, при температурі = 100°C, Id | А |
| Максимальний тепловий опір кристал-корпус, R°C/W: | °C/Вт |
| Максимальна розсіювана потужність, Pd: | Вт |
| Виробник | ST Microelectronics (STM) |
| Корпус | DPAK |
| Структура | N |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| V(BR)DSS - напруга пробою сток-витік | 500 V |
| Vgs - напруга затвор-витік | ±30 V |
| Id25 - постійний струм стоку при 25°C | 4.4 А |
| Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C 2.7 А Rds(on)25 - опір стік-вітік при 25°C, Vgs =10V | 1.22 Ом |
| VGS(th) - гранична напруга затвор-вітік (типова) | 3.75 V |
| VGS(th) - гранична напруга затвор-вітік (діапазон) | 3 ... 4.5 V |
| Потужність розсіювання при 25°C | 70 Вт |
