|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
- Напряжение питания: 12 - 30 В
- Ток потребления: <10мА
- Максимальный ток нагрузки: 10A 0D_ Максимальный имп. ток нагрузки: 25 А
- Коэффициент заполнения ШИМ: 5-95%
- Частота ШИМ:
Схема электрическая принципиальная
Описание работ на микросхеме NE555 и коммутируемого транзистора Q1. Уважительность импульсов сменяется переменным резистором RV1 в пределах 0,05-0,95. Питание подается через стабилизатор, расширяющий допустимый диапазон питающего напряжения до пределов 12-30В. В схеме установлена защита от переполюсовки схемы управления. При использовании индуктивной нагрузки на токах от 5А необходимо зашунтировать выход обратно включенным диодом Шоттки с установкой его на радиатор. Максимально допустимый ток шунтирующего диода должен с запасом, на 30-100% превышать максимальный ток нагрузки.
>Примечания:
_нагрузку 1000D_ _x00D а импульсный остается неизменным и максимальным. 2. Сменный резистор будут устанавливать в последнюю очередь. 3. При первом включении проверить подключение на отсутствие замыканий и установить регулятор в положение MIN.Схема расположения элементов
center;">